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* 第十八子已革多罗勤郡王蕴端，善诗词，共一子，1671-1704
* 第十九子吴尔占（乌尔占、务尔占）已革固山贝子，党附允禩黜宗室，共二子，1672-1724。
* 第七女 （和硕额附明尚之妻，女儿郭络罗氏嫁康熙帝第八子胤禩）
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光生伏打效应（英语：Photovoltaic effect），简称为光伏效应，是指受光线或其他电磁辐射照射的半导体或半导体与金属组合的部位间产生电压与电流的现象。光生伏打效应与光电效应密切相关，属内光电效应。在光电效应中，材料吸收了光子的能量产生了一些自由电子溢出表面。而在光生伏打效应中，由于材料内部的不均匀（例如当材料内部形成PN结时）在自建电场的作用下，受到激励的电子和失去电子的空穴向相反方向移动，而形成了正负两极。
光生伏打效应最早于1839年由法国物理学家亚历山大·爱德蒙·贝克勒尔发现。
在实际应用中的光能通常来自太阳能，这样的器件即是一般所指的太阳能电池。
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东林观山寨遗址位于四川省泸州市泸县，文物遗址年代判定为明。2012年7月16日公布为第八批四川省文物保护单位。
东林观山寨遗址位于四川省泸县百和镇东林观村3组东林观山丘顶，建于明代，面积约115370平方公尺。平面略呈椭圆形，东北、西南长约415公尺，东南、西北宽约278公尺。现存寨门3座、大部分寨墙、水井1口、牌坊1座、惜字亭1座。寨墙由条石砌成，总长约1457公尺，高约6.5公尺，厚2.8公尺。水井由条石砌成，井面呈四方形，井口为圆形，直径0.7公尺。寨址中部为牌坊和惜字亭。
牌坊建于明万历八年（1580），为四柱三间三楼歇山式石质仿木结构，面阔5.9公尺，通高6.4公尺；牌坊前后两面浮雕图案构思巧妙，雕工精细，瑞兽、花卉、人物故事栩栩如生；其明间梁材刻有“云端金阙万历庚辰冬山主大厚立，天下奇观”等字。
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