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中心占地面积2.5万平方米，设有两个展馆，1号馆（锦汉大楼）楼高11层，展览面积1.76万平方米；2号馆（锦汉新馆）览面积1.8万平方米。会议大厅面积1036平方米，可容纳650人同时参加会议，另九个中、小型会议室。
锦汉展览中心拆卸后，有消息称原址将建「越秀广州体育大厦」，建筑高度分别约150米和100米的塔楼以及三层商业裙楼。
早在2013年，原址就计划建成越秀展览中心，当时规划将会建成由31米高的五层裙楼和两座分别是59米高的14层南北塔楼组成的“城市展贸综合体”，其中会有约5万平方米的专业展览场地。由于地点处于广州历史城区环境协调区内，历史城区内建筑高度依例有严格控制。不过计划提交广州市规委会讨论时，专家们对计划建造大楼高度突破限高并未有表示反对，高度限制随即亦被特别调高，发展计划遂于2016年4月14日获广州市国土规划委委批出许可。中心建造由广州越秀集团有限公司与法国智奥会展公司合作开发运营，拟于2019年正式投入使用。该项目已在2020年10月23日正式启用。
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光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁辐射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家Harry Dember于1931年发现的。
光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲辐射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。
近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。
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